SJ 50033.93-1995 半导体分立器件3DG142型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
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ID： |
3E99793926A3464AAEC0A163EBB02C3C |
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文件大小(MB)： |
0.64 |
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页数： |
11 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/93-95,半导体分立器件,3DG142型NPN硅高频低噪声,小功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG142 NPN silicon,high-frequency Low-noise Low-power transistor,1996-06-14^ 1996-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DG142型NPN硅高频低噪声小功率晶体管,T…い或,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG142 NPN silicon,high-freguency Low-noise Low-power transistor,1范,1.I主题内容,本规范规定了 3DG142型NPN硅高频低噪声小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L3条的规定,提供的产品保证等级为普军、特军和超,持军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,中华人民共和电子工业部1996-06-14发布1996-10-01 实施,1,SJ 50033/93-95,3.2 .］引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐或其它金属。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。引出端材料,和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用NPN硅外延平面型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸）的A4-01B型及如下规定,见图1：,初,1 .发射极,2 .基极,3 .集电极,4 .地,图1外形尺寸,2,SJ 50033/93-95,mm,符号,二代号,工A4-01B,min nom max,A 4.3.2 5.33,如2.54,他1.01,站2 0.407 0.508,虹） 5.31 5.84,协4.53 4.95,J 0.92 1.04 1.16,k 0.51 1.21,L 12.5 25.0,レL27,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,3DG142,pl),Ta = 25 匕,(W),0.1,P2,Tc = 25c,(W),0.3,V,(V) (V) (mA),18 4 20,丁.和丒,(t),- 65 .+200,型号,注：l）TA>25t,按0.57mw/r的速率线性降额◎,2）。>25匕,按1.7mW/!C的速率线性降额0,3.3.2 主要电特性（7\ = 25匕）,3,SJ 50033/93-95,续表,参 数,符号（单位）「 测试条件,极,型号,值,最小值最大值,ル（MHz） Vce = 6 V,Ic = 1mA,片 400MHz,00,Cobo(pF),0e(皿)(V),Gp(dB),Vcb = 6V,/E 二 0,于=1MHz,/c = 10mA,/B— 1mA,Ic= 10mA,厶=1mA,嗅=6 V、,Ip ~ 1 mA,f= 600MHz、,R?-500,2,1,0.35,F(dB) Lb = 6V、,Ip = 1mA,f=600MHz、,i? =500,3DG142B,3DG142C,4,2.5,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除O,4,SJ 5003シ93 — 95,筛选测试和试验,(见 GJB 33 表 2),7Q中间参数测试CBCH 科 ん FE2,8.功率老化见4 3 1,9.最后测试,按本规范表1的A2分组;,△IcboL初始值的100 %或15nA,取其较大者;△九皿=±23%,4.3.1 功率老化条件,功率老化条件如下:,Ta = 25±3X：,Vcb = 12V,Ptot=100mW,注:不允许器件上加散热器或强迫风冷,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（A）要求应按本规,范表4的步骤进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（厶）要求应按本规,范表4的步骤进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3 3.2.1的规定,表1 A组检验,G……
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